選型指南
半導(dǎo)體保護(hù)熔斷器及直流熔斷器的選型指南
半導(dǎo)體保護(hù)榕斷器是專(zhuān)為功率半導(dǎo)體器件如 GBT、IGCT、GTO、SCR 等提供保護(hù)的快速熔斷器，半導(dǎo)體產(chǎn)品非常品進(jìn)，但承受過(guò)載能力卻非常有限。因此，必須制造過(guò)載更靈敏，分?jǐn)喔杆俚娜蹟嗥鲗?duì)其提供保護(hù)。
相對(duì)于傳統(tǒng)的熔斷器，半導(dǎo)體保護(hù)熔斷器具有較低的工 及弧電壓。其設(shè)計(jì)符合標(biāo)準(zhǔn) EC60269-4，常被成為“局部范圍”或“后備”保護(hù)熔斷器，現(xiàn)歸類(lèi)為“遲” 型熔斷器。隨著被保護(hù)產(chǎn)品功率的提高及性能的發(fā)展，“全范圍”保護(hù)熔斷器的使用需求明聲越來(lái)越高。因此，2002 年“eR”和“eS”兩類(lèi)具有全范圍分?jǐn)嗄芰Φ呐鄶嗥鲃澐值搅薚EC 60269-4 中。其中，ER 類(lèi)在低I上占優(yōu)勢(shì)，而 es 類(lèi)在低功率耗方面占優(yōu)勢(shì)。
下圖是典型的半導(dǎo)體保護(hù)熔斷器示意圖。熔體由片狀純銀帶構(gòu)成。近年來(lái)，一些制造商也致力于采取銅銀復(fù)合帶作為替代品。這些片狀培體在狹徑部分為銀，鏈接部位是銅。培體焊接在觸刀上，而熔體與石英砂都處于管體內(nèi)部。管體和兩端益板構(gòu)成個(gè)封閉的空間滅弧。

額定電壓 Un
（1）IEC 規(guī)定熔斷器交流電壓在額定電壓的 110%，功率因素在 10-20%進(jìn)行測(cè)試1
（2）UL 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有熔斷器在額定電壓，功率因素在 15-20%進(jìn)行測(cè)試。
（3）在AC/DC設(shè)備中,如6相整流橋中,如果發(fā)生短路,DC端的電壓在瞬間增加在AC端,故此時(shí)保險(xiǎn)絲的額定電壓須為UD21.8Uac

電弧電壓 UL
熔斷器培斷時(shí)將產(chǎn)生電弧電壓，電弧電壓峰值一般為故障電路電壓(RS)的 2 倍，最高不超過(guò) 2.5 倍。不應(yīng)超過(guò)半導(dǎo)體元件的瞬態(tài)阻斷電壓。